m_kalashnikov (m_kalashnikov) wrote,
m_kalashnikov
m_kalashnikov

Categories:

Русская микроэлектроника: что делать?

РЕШЕНИЕ
Первой Российско-белорусской научно-технической конференции
«Элементная база отечественной радиоэлектроники»,
посвящённой 110-летию со дня рождения О. В. Лосева

11-14 сентября 2013 г.
г. Нижний Новгород

Заслушав и обсудив доклады участников, а также проведя круглые столы «Анализ влияния уровня развития микроэлектроники на вооружённую борьбу в сетецентрических войнах» и «Анализ импортозамещения наиболее емких сегментов отечественного рынка электронных компонент», научно-техническая конференция отмечает:
Конференция посвящена анализу современного уровня отечественных экспериментальных и теоретических исследований в области элементной базы радиоэлектроники и была приурочена к 110-ю со дня рождения выдающегося отечественного учёного О. В. Лосева (1903 – 1942) — пионера в области микроэлектроники и оптоэлектроники. Значение выдающихся достижений этого учёного в нашей стране ещё недостаточно хорошо известно. Кроме анализа общего состояния этой проблемы в России, одной из важных задач, ставившихся перед конференцией, было объединение усилий российских и белорусских ученых в развитии фундаментальных исследований и прикладных разработок в микроэлектронике, в внедрении отечественных инноваций из микроэлектронной области в отраслях отечественной экономики, основанных на достижениях микроэлектроники: в связи, навигации, телекоммуникациях, дистанционном зондировании Земли, а также в импортозамещении и поддержке отечественного товаропроизводителя в сфере микроэлектроники, в том числе в выходе на внешние рынки.
В работе конференции приняло очное участие свыше 150 человек, в том числе 2 академика РАН и 5 членов-корреспондентов РАН. С белорусской стороны были преставители ведущих микроэлектронных предприятий Республики Беларусь (ОАО «Интеграл», ГНПО «Планар»), ведущих белорусских вузов (Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники) и Национальной академии наук Беларуси (Институт физики им. Б. И. Степанова НАНБ). С российской стороны были представители академических институтов, занимающихся микроэлектроникой и физикой твёрдого тела, таких как Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Институт физики микроструктур РАН, Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых РАН, Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, НИИ системных исследований РАН, Институт проблем информатики РАН. Российские предприятия были представлены не только разработчиками и производителями элементной базы, такими как ОАО «Светлана», ОАО «НИИ электронной техники», ФГУП «ФНПЦ НИИ измерительных систем им. Ю. Е. Седакова», ЗАО «ПКК Миландр», ОАО НПП «Салют», ЗАО «МЦСТ», ОАО «НИИ космического приборостроения», ОАО «КБ «Икар», но и потребителями элементной базы, а именно, ОАО «Информационные спутниковые системы» им. академика М. Ф. Решетнева», ФГУП «НПО автоматики им. академика Н. А. Семихатова», ФГУП «РФЯЦ – ВНИИЭФ», ФГУП «Всероссийский НИИ автоматики им. Н. Л. Духова», ОАО «ФНПЦ Нижегородский НИИ радиотехники», ОАО «Корпорация космических систем специального назначения «Комета», Научно-исследовательский радиофизический институт. Самое активное участие в работе конференции приняли представители российских вузов, в том числе национальных исследовательских университетов, занимающиеся подготовкой кадров для микроэлектронной отрасли — Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова, Московского физико-технического института, Московского инженерно-физического института, Московского института электронной техники, Московского института радиотехники, электроники и автоматики, Московского энергетического института, Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения, Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского, Нижегородского государственного технического университета им. Р. Е. Алексеева, Волго-Вятского филиала Московского технического университета связи и информатики, Мордовского государственного университета им. Н. П. Огарёва, Ижевского государственного технического университета им. М. Т. Калашникова, Самарского государственного аэрокосмического университета им. академика С. П. Королёва, Казанского государственного энергетического университета и. т. д.
Всего на конференцию было подано 113 докладов, в том числе и ряд докладов о применении параллельных вычислений на суперЭВМ для моделирования процессов в микро- и наноэлектронике.
Развитие микроэлектроники во второй половине ХХ столетия привело к качественному изменению мировой экономики на основе информационных технологий. Электроника — самая динамичная отрасль экономики в мире и для большинства стран является стратегической отраслью. Уровень рентабельности электронной промышленности — 40 процентов. Среднемировой срок окупаемости вложений в электронику составляет всего 2-3 года. Темпы роста электронной промышленности в три раза выше темпов ростов ВВП. Одно рабочее место в электронике дает четыре в других отраслях. Один килограмм изделий микроэлектроники по стоимости эквивалентен стоимости 110 тонн нефти. Таким образом, отечественная микроэлектроника является краеугольным камнем для перевода экономики России на рельсы шестого технологического уклада.
Участники конференции отмечают, что в связи с реализацией «Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года» (в дальнейшем — «Стратегия …») в отечественной микроэлектронной отрасли наметился явный подъём: ОАО «НИИМЭ и Микрон» освоило технологию уровня 90 нм, произошло становление группы компаний НТ-МДТ, есть и некоторые другие успешно работающие в области микро- и радиоэлектроники предприятия, например, ФГУП «ФНПЦ НИИ измерительных систем им. Ю. Е. Седакова». Однако, несмотря на отдельные достижения, имеет место значительное отставание отечественной радиоэлектронной промышленности от уровня, необходимого для обеспечения информационной и оборонной безопасности страны. Это отставание обусловлено концептуальной неопределенностью научно-технической политики государства в области микроэлектроники, проявляющейся, например, в наличии большого числа дизайн-центров без своего контрольно-измерительного оборудования, в отсутствии комплексного междисциплинарного подхода к обеспечению отечественной элементной базой систем воздушно-космической обороны и военной робототехники, в незамкнутости технологической цепочки в области микроэлектроники из-за нерешённой проблемы обеспечения электронной промышленности России отечественными специальными материалами (высокочистыми веществами, фоторезистами, реакционными газами), в полном отсутствии обсуждения проблемы устойчивости и военной, и гражданской электроники к воздействию электромагнитных импульсов высокой мощности и. т. д., и. т. п. Причины этой концептуальной неопределенности также понятны: в основу «Стратегии …» положен принцип догоняющей модернизации, сводящийся к ликвидации критического научно-технического отставания России от стран «золотого миллиарда» в области отечественной электронной компонентной базы для удовлетворения насущных потребностей экономики и ВПК.
В условиях глобальной нанотехнологической гонки этот принцип является глубоко порочным, программирующим отставание российской электроники от мирового уровня, потому что ближайшие годы обещают новую революцию в области электроники. Закон Мура скоро перестанет действовать из-за атомарной структуры вещества и конечности скорости света, что означает наличие физического предела в развитии КМОП-технологии. Указанная причина побудила США начать программы по выработке стратегии, обеспечивающей дальнейшую микроминиатюризацию электронных схем. Ассоциация полупроводниковой промышленности США учредила в 2004 г. исследовательскую программу «Инициатива по исследованиям в области наноэлектроники», целью которой является создание к 2020 г. новых устройств, превосходящих современные полевые транзисторы по энергосбережению, быстродействию, плотности размещения, стоимости и др., способных заменить, при совместимости с использующейся сегодня технологией КМОП, существующие КМОП–ключи. В рамках этой программы активно исследуются метаматериалы, нанофотоника и её применение в радиосистемах ближайшего будущего, магнитоэлектроника и её главная ветвь — спинтроника. Далее, в качестве альтернативы медным проводам, достигшим своего физического предела скорости передачи информации, выступают оптические соединения на уровне наноструктур. В самое ближайшее время будут решены две ключевые проблемы в развитии информационных технологий: проблема повышения скорости передачи данных (сегодня требуется 10 Гбит в секунду и выше) и проблема снижения потребления электроэнергии суперкомпьютерами. Таким образом, та страна, которая первой найдёт следующее поколение логических приборов, возглавит наноэлектронную эру — точно также, как США возглавляли микроэлектронную эру во второй половине прошлого века.
Вместо этой амбициозной цели конечным итогом своей реализации «Стратегия …» предполагает достижение в 2025 году 18 нм технологического уровня изделий микроэлектроники в серийном производстве. Однако в 2013 году в США уже сдан в эксплуатацию завод Fab42 фирмы Intel, который будет выпускать продукцию по 14 нм технологии на основе 300-миллиметровых кремниевых пластин. КНР в настоящий момент обладает комммерческим 40-нм КМОП процессом. Более того, Институт микроэлектроники Академии наук КНР изготовил МОП полевой транзистор с длиной затвора 22 нм. Таким образом, «Стратегия …» ориентирует Россию на следование в арьергарде мировых трендов в развитии элементной базы, при этом неоправданно растягивая сроки восстановления паритета Российской Федерации в области радиоэлектроники с её эвентуальными противниками. Между тем, в ходе нашей конференции было выявлено наличие в России целого ряда разработок в сфере элементной базы, не уступающих западным или значительно их опережающих, а именно, самосинхронные радиационностойкие интегральные схемы, высокоёмкие наноионные суперконденсаторы, квантовые каскадные лазеры, фрактальные радиоэлементы. Более того, оказалось, что у нас имеются масштабные заделы для создания полностью отечественной суперЭВМ экзафлопной производительности — основного инструмента предсказательного компьютерного моделирования в первой трети этого века: и в части глубоко субвольтовой наноэлектроники, и в части кремниевой нанооптоэлектроники, и в части петабитных волоконно-оптических каналов связи.
Из всего вышесказанного следует, что уровень развития отечественной микро- и наноэлектроники нужно признать системно-ресурсным фактором геополитики России на долгосрочную перспективу. Поскольку при отсутствии у российской электроники масштабных целей отставание от мирового уровня будет нарастать, в основу развития отечественной элементной базы следует положить принцип опережающей модернизации без вестернизации.
Для реализации этого принципа необходимо:
1. Сократить сроки реализации «Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года» до 2017-2018 г.г. при сохранении прежних объёмов финансирования «Стратегии…» и перечня её мероприятий.
2. Разработать перспективную программу восстановления отечественного электронного машиностроения и производства современного контрольно-измерительного оборудования и реализовать её в сжатые сроки.
3. Приблизить образование в области микроэлектроники к реальному микроэлектронному производству.
4. Разработать комплекс мер по защите внутреннего рынка конечных изделий радиоэлектроники, в том числе с применением современных методов экономико-математического моделирования и прогнозирования, с перспективой распространения этих мер на Союзное государство Беларуси и России, Таможенный Союз, Организацию Договора о коллективной безопасности.
5. В связи с кардинальной перестройкой функционирования Российской академии наук целесообразно рассмотреть возможность направить часть научных и кадровых возможностей этой организации на решение перспективных проблем практической электроники и оптики, которые уже ясно просматриваются в ближайшие годы. Для координации и развития перспективных исследований и разработок в области микро-, нано- и радиоэлектроники считать целесообразным создать на базе институтов РАН Центр по радиоэлектронике и оптоэлектронике, который должен отслеживать и направлять фундаментальные исследования в этом направлении.
6. Учитывая успешный опыт реализации программ «Основа», «Прамень», «Микросистемотехника», «Скиф», «Скиф-грид», инициировать ряд новых научно-технических программ Союзного государства Беларуси и России по перспективным направлениям развития электронной компонентной базы.
7. Рассмотреть возможность проведения в 2015 году Второй конференции…. приуроченной к инициативе ООН и ЮНЕСКО, объявившими 2015 год – Годом Оптики. Для этого целесообразно расширить тематику конференции, включить в неё и оптоэлектронику, учитывая, что дальнейшее развитие научно-технической революции неразрывно связано с нетривиальном объединением этих направлений. Об этом же говорят и последние успехи в нанотехнологии, связанных с созданием нанометаматериалов и графеноподобных сред. Нужно отметить, что объединенный взгляд на оптику и электронику очень характерен для научного творчества О.В.Лосева.
8. Для увековечивания памяти выдающегося исследователя — Олега Владимировича Лосева:
- создать в Нижнем Новгороде Музей Олега Владимировича Лосева в составе музея Нижегородской Радиолаборатории, ярко отражающий этапы его жизни и выдающий вклад в современную науку;
- учитывая, что вся жизнь и научный подвиг О.В.Лосева является ярким примером беззаветного служения интересам России,, и вполне может быть вдохновляющим примером для молодых людей, решившим посвятить свою жизнь научно-техническому творчеству, целесообразно проводить в рамках РНТОРЭС им. А. С. Попова среди школьников, студентов и молодых специалистов конкурсы на «Лосевскую премию», за действительно самобытные и оригинальные работы в области физики и электроники, демонстрирующие творческий научный подход;
- присвоить Российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники» имя О. В. Лосева и проводить её в Нижнем Новгороде раз в два года.
9. Для детализации и конкретизации вышеперечисленных предложений создать под эгидой РНТОРЭС им. А. С. Попова постоянно действующую рабочую группу.

В XXI веке не бывает великих держав без собственной электроники, поэтому участники конференции выражают твёрдую уверенность в том, что предложения нашей конференции будут поддержаны всей мощью Государства Российского.

От Максима Калашникова: это написано год назад. Российское Государство таковым не является (это мафиозная система) и чихать на мнение специалистов хотело. У него - совсем иные заботы.


Tags: Александр Рассадин, Нижний Новгород, микроэлектроника, письма Максиму Калашникову
Subscribe
  • Post a new comment

    Error

    Anonymous comments are disabled in this journal

    default userpic

    Your reply will be screened

    Your IP address will be recorded 

  • 28 comments